力率を改善するには、正対時のL値と非正対時のL値の比を大きくする必要があります。
磁気回路の予備検討として、EＩ、UＩコアを用いてL値を測定してみました。
Ri：正対時のL値(Lv+Lc)／非正対時のL値(Lc)
Ⅰ．EＩコア
Ｉコアを回転子の突極、Ｅコアを固定子の突極と想定し、マド全体に巻き線を行い、ＥＩコアの位置関係を変えて、L値を測定しました。（EI30 S=10X10mm 220T ）
1.ギャップ長G－L値の関係
0.28ｍｍ／999mm＝13.5ｍH／3.8ｍH＝3.55
0.00ｍｍ／999mm＝63ｍH／3.8ｍH＝16.5
2.1 Ｉコアの位置－L値の関係X （G=0.3ｍｍ）
Ri＝13.5ｍH／5.3ｍH＝2.55
2.2 Ｉコアの位置X－L値の関係 （G=0.6ｍｍ）
Ri＝9.4ｍH／4.9ｍH＝1.92
ｈが長くｗが短いと漏洩磁束が多くなる。
漏洩磁束が多くなると、ＩコアがなくてもＬ値は大きい。
正対時のギャプを小さく（例えば0.15ｍｍ）するとRiは大きくなるが、蓄積エネルギーが低下する。
Ⅱ．UＩコア
UＩコアに巻線位置を変えて、L値を測定してみました
測定結果 L値 [μＨ]
１. ギャップ＝0.5ｍｍ
Ａに巻き線を設けた場合の Ri＝46／7＝6.6
Ｂに巻き線を設けた場合の Ri＝74／16＝4.6
Ｃに巻き線を設けた場合の Ri＝78／32＝2.4
2. ギャップ＝1.0ｍｍ
Ａに巻き線を設けた場合の Ri＝25／7＝3.6
Ｂに巻き線を設けた場合の Ri＝37／16＝2.3
Ｃに巻き線を設けた場合の Ri＝56／32＝1.8
Ａ Ｂ Ｃ の順でRiが大きくなりました。
Ｃの位置で漏洩磁束が多く、Riは小さくなります。
Ａ Ｂは巻線を分割しているので有利か。
鉄心形状を考える場合、ｈ、ｗ、鉄心と巻き線の位置関係を考慮することが必要です。
hを小さくすると力率は上がると思いますが、巻き線の面積が少なくなり線径を細くしないと巻けません。
そこで、すべての電磁機器の課題である、巻線の占有率の問題にぶつかります。
占有率の向上に関する巻線技術として、角銅線、平角銅線、セグメントコンダクター、銅板、エッジワイズ巻線、完全整列巻線等がでてきます。
