次世代のパワー半導体を調べました。
従来のシリコンに比べて、飛躍的な性能の改善が期待される次世代パワー半導体の材料として、炭化ケイ素（SiC）や窒化ガリウム（GaN）などの化合物半導体が注目されています。
電力効率が改善することで、消費電力を大幅に削減したり、システムの小型化に寄与できます。
公表されている資料より、次世代パワー半導体を検討しています。
GaNパワー半導体は、情報通信機器が中心です。
SiCパワー半導体は主に自動車関連に用いられています。
既に市場への本格投入が始まっていますが、製造コストや品質面での安定など、まだ解決すべき課題は多く残されています。
「日の丸半導体」の復権は、次世代パワー半導体への取組にかかっていると思います。
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